提高灼烧温度有利于提高薄膜样品的蓝光发射,退火使薄膜的紫外发光峰发生蓝移,蓝光发光峰发生红移。
互联网摘选
Blue Luminescence and Annealing Characteristic of Si  ̄+-Implanted SiO2 Films on Crystalline Silicon
注Si~+热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性
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提高灼烧温度有利于提高薄膜样品的蓝光发射,退火使薄膜的紫外发光峰发生蓝移,蓝光发光峰发生红移。
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Blue Luminescence and Annealing Characteristic of Si  ̄+-Implanted SiO2 Films on Crystalline Silicon
注Si~+热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性
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